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    深圳表面處理網(wǎng)：當(dāng)陰極附近金屬離子濃度降到最低點(diǎn)時(shí)，電流關(guān)斷，金屬電結(jié)晶過(guò)程中止，這樣就避免了濃差極化對(duì)電結(jié)晶過(guò)程的影響，從而得到細(xì)致光滑的表面。峰值電流密度jP對(duì)鍍層中納米顆粒含量的影響鍍層中納米顆粒含量隨著脈沖峰值電流密度jP的增大而增加，如所示。jP是脈沖電鍍時(shí)金屬離子在陰極表面的最大沉積速度。jP越大，過(guò)電勢(shì)越大，這就有利于晶核的形成，使得晶核形成的速度大于晶粒生長(zhǎng)的速度。

 

    在復(fù)合電沉積過(guò)程中，從理論上講，陰極電流密度增大，可以提高基質(zhì)金屬的沉積速度，縮短極限時(shí)間，所謂極限時(shí)間是指粘附于陰極表面的微粒，從開(kāi)始有基質(zhì)金屬在顆粒與陰極表面接觸附近開(kāi)始沉積起到顆粒被基質(zhì)金屬鍍層完全埋牢為止所需的時(shí)間。極限時(shí)間越短，意味著單位時(shí)間內(nèi)可能嵌入的微粒數(shù)量越多。所以脈沖峰值電流密度jP的增大，有利于鍍層中納米顆粒含量的增加。正脈沖工作時(shí)間對(duì)顆粒沉積量的影響體現(xiàn)出了正脈沖工作時(shí)間對(duì)鍍層中納米SiC顆粒含量的影響。由此可以看出，顆粒含量隨著正脈沖工作時(shí)間的增長(zhǎng)而增加，當(dāng)時(shí)間達(dá)到60s時(shí)，顆粒含量不再增加，時(shí)間超過(guò)60s時(shí)，顆粒含量反而有下降的趨勢(shì)，直到時(shí)間控制在90s以上的時(shí)候，顆粒含量相對(duì)穩(wěn)定。

 

    這種趨勢(shì)的產(chǎn)生可能因?yàn)檎}沖工作時(shí)間很短時(shí)，由于負(fù)脈沖時(shí)鍍層被溶解的多，鍍層過(guò)薄，使固體顆粒吸附很少。當(dāng)正脈沖時(shí)間達(dá)到60s時(shí)，鍍層能夠達(dá)到一定厚度，吸附的納米SiC顆粒的量也大大的增加了。但是正脈沖工作時(shí)間太長(zhǎng)，相對(duì)的負(fù)脈沖工作時(shí)間就縮短了，對(duì)陰極的吸脫附過(guò)程產(chǎn)生了影響。從而降低了對(duì)納米SiC顆粒的吸附量。不同電鍍方式對(duì)鍍層硬度的影響由可以看出，對(duì)于脈沖電鍍，隨著鍍液中微粒含量的增加，鍍層硬度也隨之提高。而普通電鍍時(shí)，當(dāng)微粒含量達(dá)到20g/L以后，硬度開(kāi)始下降。并且在相同SiC含量時(shí)，脈沖電鍍所得鍍層的顯微硬度比普通直流電鍍鍍層的顯微硬度得到明顯提高，當(dāng)顆粒含量在2832g/L時(shí)，脈沖電鍍鍍層的顯微硬度值可提高40%以上。

 

    脈沖電鍍能克服直流電鍍的不足，主要是脈沖寬度(即導(dǎo)通時(shí)間)很短，峰值電流很大，在導(dǎo)通(ton)期間，接近陰極處金屬離子急劇減小，但擴(kuò)散層來(lái)不及漲厚就被切斷電源。在脈沖關(guān)斷時(shí)間(toff)內(nèi)，陰極表面缺少的金屬離子及時(shí)從溶液中得到補(bǔ)充，脈沖擴(kuò)散層基本上被消除，而使電解液中的金屬離子濃度趨于一致。這樣脈沖電鍍可以采用較高的陰極平均電流密度，不但電流效率不會(huì)降低，而且改變了鍍層結(jié)構(gòu)，晶粒度小，且嵌入復(fù)合鍍層的SiC納米顆粒含量增加。第二相粒子的數(shù)量越多，尺寸越小，分布越均勻，彌散強(qiáng)化越好。這是因?yàn)殄儗又屑{米SiC含量的增加，鍍層的位錯(cuò)阻力增加了，能有效阻止晶體的滑移，增大了變形抗力，即提高了鍍層的顯微硬度。